传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业7
一、单选题 (共 4 道试题,共 40 分)
1.固体半导体摄像元件CCD是一种（ ）
A.PN结光电二极管电路
B.PNP型晶体管集成电路
C.MOS型晶体管开关集成电路
D.NPN型晶体管集成电路
2.变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是（ ）。
A.正比关系
B.反比关系
C.无关系
3.光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成，（ ）。
A.可实现电路隔离，不可进行电平转换
B.不可实现电路隔离，可进行电平转换
C.可实现电路隔离，可进行电平转换
D.不可实现电路隔离，不可进行电平转换
4.在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）
A.外光电效应
B.光生伏打效应
C.光电子发射效应
D.光电导效应
二、多选题 (共 2 道试题,共 40 分)
5.利用光敏电阻制作的光传感器，记录了传送带上工件的输送情况，如图甲所示为某工厂成品包装车间的光传感记录器，光传感器B能接收到发光元件A发出的光，每当工件挡住A发出的光时，光传感器输出一个电信号，并在屏幕上显示出电信号与时间的关系，如图乙所示，若传送带始终匀速运动，每两个工件间的距离为0.2 m，则下述说法正确的是（ ）
{图}
A.传送带运动的速度是0.1 m/s
B.传送带运动的速度是0.2 m/s
C.该传送带每小时输送3600个工件
D.该传送带每小时输送7200个工件
6.霍尔效应中，霍尔电势与（ ）
A.霍尔常数成正比
B.霍尔常数成反比
C.霍尔元件的厚度成正比
D.霍尔元件的厚度成反比奥鹏作业答案请进open5.net或请联系QQ/微信：18866732
三、客观填空题 (共 1 道试题,共 20 分)
7.传感器静态特性的一个重要指标。传感器输出量增量Δy与引起输出量增量Δy的相应输入量增量Δx之比称为传感器的##，是传感器静态特性的一个重要指标。